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内存参数介绍(2)

时间:2007-06-11 10:21:16 来源: 作者: 阅读:

  宣扬CMD Rate可以设为1T实际上多少也算是一种误导性广告,因为所有的无缓冲(unbuffered)内存都应具有1T的CMD Rate,最多支持四个Bank每条内存通道,当然也不排除芯片组的局限性。

tRAS:
  tRAS在内存规范的解释是Active to Precharge Delay,行有效至行预充电时间。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。这个参数看上去似乎很重要,其实不然。内存访问是一个动态的过程,有时内存非常繁忙,但也有相对空闲的时候,虽然内存访问是连续不断的。tRAS命令是访问新数据的过程(例如打开一个新的程序),但发生的不多。

  接下来几个内存时序参数分别为CAS延迟,tRCD,以及tRP,这些参数又是如何影响系统性能的呢?

CAS:
  CAS意为列地址选通脉冲(Column Address Strobe 或者Column Address Select),CAS控制着从收到命令到执行命令的间隔时间,通常为2,2.5,3这个几个时钟周期。在整个内存矩阵中,因为CAS按列地址管理物理地址,因此在稳定的基础上,这个非常重要的参数值越低越好。过程是这样的,在内存阵列中分为行和列,当命令请求到达内存后,首先被触发的是tRAS (Active to Precharge Delay),数据被请求后需预先充电,一旦tRAS被激活后,RAS才开始在一半的物理地址中寻址,行被选定后,tRCD初始化,最后才通过CAS找到精确的地址。整个过程也就是先行寻址再列寻址。从CAS开始到CAS结束就是现在讲解的CAS延迟了。因为CAS是寻址的最后一个步骤,所以在内存参数中它是最重要的。

tRCD:
  根据标准tRCD是指RAS to CAS Delay(RAS至CAS延迟),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。然而,这个参数对系统性能的影响并不大,因为程序存储数据到内存中是一个持续的过程。在同个程序中一般都会在同一行中寻址,这种情况下就不存在行寻址到列寻址的延迟了。

tRP:
  tRP指RAS Precharge Time ,行预充电时间。也就是内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。简单而言,在依次经历过tRAS, 然后 RAS, tRCD, 和CAS之后,需要结束当前的状态然后重新开始新的循环,再从tRAS开始。这也是内存工作最基本的原理。如果你从事的任务需要大量的数据变化,例如视频渲染,此时一个程序就需要使用很多的行来存储,tRP的参数值越低表示在不同行切换的速度越快

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